赵超
副总工程师
研究员
北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：现担任中国科学院微电子所研究员，集成电路先导工艺研发中心主任，中组部技领军人才。出生于1962年3月。1978年10月至1982年7月在南京大学物理系学习，于1982年获学士学位. 1988年8月， 在哈尔滨工业大学获工学硕士学位，1999年12月在比利时鲁汶大学 （Katholieke Universiteit Leuven）获博士学位。
2000年1月 至2010年3月，在欧洲微电子研发中心（IMEC）任资深科学家（SENIOR SCIENTIST）。其间，参加IMEC组织的具有重大国际影响力的集成电路先导工艺研发工业联盟项目，从事集成电路先导工艺的研发。在高K/金属栅（High-K/metal gate），铜互连（Cu-Interconnection）， 铜接触（Cu-Contacts）， 三维穿硅通孔封装（3D-TSV）等领域里做出过重要工作。
在包括8英寸和12英寸集成电路生产线上的前道工艺和后道工艺的研发方面拥有丰富的工作经验。先后在国际学术期刊和会议上发表科研论文130多篇，总体引用率超过1000次。此外，完成发明专利申请80项，其中已获美国欧洲专利授权5项。
研究方向：集成电路先导工艺研发
