- 戴银明
- 正高级工程师
- 北京市海淀区中关村北二条6号
简 历：1965年出生于山东省东明县。1986年毕业于四川大学电力工程系，1989年毕业于中国科学院研究生院，获得工学硕士学位。1995年作为访问学者在韩国电气研究所开展MRI超导接头技术研究；2002年作为访问学者在瑞士苏黎世高等工业大学高能所开展AMS02超导磁体技术研究。主要承担的研究项目为超导高梯度磁分离应用研究、超导储能关键技术研究、高温超导磁体技术研究和高磁场MRI超导磁体技术研究。
社会任职： 研究方向：超导电工技术，强磁场超导磁体技术
获奖及荣誉：国家科技进步二等奖1项；中国科学院科技进步二等奖1项，北京市科技发明奖1项
